что за фирма hynix

08.06.202215.06.2022 admin 0 Comments

Обзор и тест трех комплектов памяти объемом 16 Гбайт: DDR3 1333 Samsung, DDR3 1600 Kingston и Hynix (страница 2)

Модули этой компании попадаются мне не впервые. Особенно часто микросхемы фирмы Hynix встречаются в самых скоростных планках памяти. Правда, в маркировке там совсем другие буквы («MFR»), а сами комплекты штурмуют частоты вплоть до 3000 МГц. К сожалению, в магазине оказались только «HMT». Однако надежда остается, поскольку MFR функционировали на частоте 1333 МГц с таймингами 9-9-9, а у этих частота больше – 1600 МГц, хотя тайминги хуже – 11-11-11. Из-за этого они выглядят не очень привлекательно.

Но процесс разгона всегда сопряжен с лотереей, поэтому попробовать все равно стоит. Уж на штатных частотах-то они точно должны заработать Это вам не какой-нибудь комплект на 2800 МГц с CL11, который не заводится на положенной штатной частоте. Во всяком случае, будет не так обидно.

Сами модули HMT41GU6AFR8C-PBN0 являются одними из самых доступных на рынке. При этом ходят слухи, что под брендом компании выпускают очень много подделок с сомнительным качеством. Мне пока такие не попадались, но в рознице есть модели как с зеленой печатной платой, так и с синей. В тестировании принимают участие синие планки, и говорят, что именно так и выглядит оригинал.

Как и у других модулей, на каждой стороне здесь распаяно по восемь микросхем.

С одной стороны есть наклейка с маркировкой, обозначением пропускной способности и объема.

В левом углу указано название компании, которая с недавних пор именуется SKhynix. Чуть ниже написано, что модули изготовлены в Китае, а справа даже можно найти когда – на 29-й неделе 2013 года.

Модули самые заурядные, а вот микросхемы заслуживают внимания хотя бы потому, что изначально поддерживают частоту 2133 МГц. Конечно, это уже не самые рекордные показатели, но остальные производители почему-то не хвастаются и такими достижениями своей продукции. Значит, есть большой шанс, что эти планки заработают на частоте 2133 МГц, а уж тайминги как-нибудь подберем.

Тестовый стенд

Тестирование модулей памяти Kingston KHX16C9X3/8, Hynix HMT41GU6AFR8C-PB и Samsung M378B1G73BH0-CH9 проводилось в составе следующей конфигурации:

Испытание модулей памяти и разгон

Так уж получилось, что сначала были протестированы модули компании Kingston, а уже потом сняты радиаторы. Во-первых, это было сделано для того, чтобы не вышло такой ситуации, что одна микросхема осталась на клейкой ленте, а остальные на печатной плате. Да и по времени тест состоялся раньше, поэтому до конца сохранялась интрига по поводу используемых микросхем памяти.

Это сейчас известно, что их делает Nanya, а тогда даже по SPD можно было лишь утверждать, что это продукция Kingston.

Причем в штатном режиме у этих модулей самые неплохие характеристики: частота работы 1600 МГц с таймингами 9-9-9. Остальные такими значениями похвастать не могут. Но ведь не для штатной же работы они были взяты? Необходимо разгонять.

И все. Эти значения оказались для данных планок предельными. Ни поднятие напряжения до 1.85 В, ни увеличение таймингов не позволили взять барьер в 2400 МГц. Разумеется, напряжение поднималось и на всех остальных компонентах: CPU, SA, Ring и прочих. Все безрезультатно. Может быть, все дело в материнской плате, поскольку на ASUS Z87 WS результаты были немного лучше и она при переразгоне не уходила в цикл-ребут.

На модули Samsung возлагались самые большие надежды – долгое время при тестировании использовались четырехгигабайтные планки, которые без особых усилий на любых платформах покоряли частоту 2133 МГц с таймингами 10-10-10.

Это самые маленькие по скорости модули – всего 1333 МГц. По современным меркам очень скромно, учитывая, что уже повсеместно нормой стало 1600 МГц. Да и тайминги также самые заурядные 9-9-9 и напряжение по умолчанию равняется 1.5 В. Для разгона оно было увеличено до 1.65 В, хотя микросхемы компании Samsung плохо откликаются на его поднятие.

Результат получился немного лучше и в конце параметр CL был выставлен в значении 10. Таким образом, они отыграли по всем пунктам единицу у предыдущих планок. Что касается дальнейшего разгона, то мне снова не удалось перешагнуть 2133 МГц (возможно, проблема все-таки в материнской плате, поскольку чудес быть не может). Снова поднимались все субтайминги и напряжение до 1.85 В, но все было тщетно. Итак, пришлось оставить эту задачу и перейти к модулям Hynix.

У меня уже был небольшой опыт разгона микросхем Hynix, и мне известно, что они более охотно реагируют на повышение напряжения. Поэтому оно было выставлено на 1.7 В, а частота была задана как 2400 МГц с таймингами 14-14-14. Memtest86+ 5.00 RC1 прошел, LinX прошел. А вот 2600 МГц даже с 15-15-15, увеличенными субтаймингами и напряжением, поднятым до 1.85 В, никак не идет.

Оставалось только до минимума снижать тайминги на частоте 2400 МГц.

Неплохой результат, но, на мой взгляд, предпочтительнее 2133 МГц с таймингами 10-10-10, а получилось только 10-11-10. И все равно это лучше, чем Samsung. Исходя из сложившейся картины, будет легко расставить планки по местам.

Теперь приведу три графика зависимости частоты и напряжения от установленных таймингов.

Заключение

Часто так бывает, что не все то золото, что блестит. В первую очередь это относится к модулям компании Kingston. Производитель отмечает свое десятилетие и представил юбилейный продукт. Но что он хотел этим продемонстрировать? Возможно, компания хотела зафиксировать и увековечить свои достижения в области производства модулей памяти в анналах истории. Однако даже на таком серьезном мероприятии она решила немного сэкономить. В итоге набор Kingston KHX16C9X3/8 уступил в частотном потенциале обычным планкам крупнейших производителей. С моей точки зрения, в такой ответственный момент были бы хороши все средства, в том числе небольшой убыток во имя поддержания бренда.

Компания Samsung удвоила объем своих микросхем, но при этом их разгонный потенциал немного снизился. По-прежнему остаются непревзойденными модули, основанные на микросхемах DH0-CH9. Да, их время потихоньку проходит, ведь потребности в объеме памяти растут и нужны более емкие микросхемы. Но, по крайней мере, Samsung M378B1G73BH0-CH9 в сравнении с Kingston показали себя хорошо. Их владелец получает возможность со штатных 1333 МГц и таймингах 9-9-9-24 перейти на 2133 МГц с 11-11-11-27-1T без особых усилий и даже подъема напряжения. Все-таки неплохой результат для подобных микросхем.

Еще лучше проявили себя планки памяти компании Hynix. Похоже, что в настоящий момент она выбилась в лидеры отрасли и на ее микросхемах производится большое количество модулей для оверклокеров. Это заявление сделано небезосновательно, поскольку во многих топовых комплектах установлены микросхемы производства именно Hynix. Темная сторона успеха заключается в том, что под данным брендом выпускается очень много подделок. Разумеется, такая продукция не идет ни в какое сравнение с оригиналом. Как следствие, к покупке модулей памяти Hynix нужно подходить очень осторожно, совершая ее в проверенных магазинах, с хорошо отработанными механизмами возврата товара и гарантии.

Источник

SK hynix начинает серийное производство DRAM по нормам 1a с использованием EUV-литографии

Поставки новой памяти производителям смартфонов SK hynix рассчитывает начать в этом полугодии

Компания SK hynix объявила, что в этом месяце она начала серийный выпуск 8-гигабитных кристаллов мобильной памяти LPDDR4 DRAM по нормам 1a, которые соответствуют четвёртому поколению 10-нанометрового техпроцесса производства памяти.

Напомним, для первых трёх поколений использовались обозначения 1x, 1y и 1z. Они соответствовали трём поддиапазонам технологических норм в общем диапазоне 10–19 нм. Хотя производитель не называет конкретное значение, нормы 1a ближе всех к значению 10 нм. Переход на нормы 1a позволяет увеличить количество микросхем в расчёте на одну пластину на 25%.

Новая память поддерживает скорость 4266 Мбит/с — самую высокую скорость передачи данных, определённую спецификацией мобильной памяти DRAM LPDDR4. При этом она потребляет на 20% меньше энергии по сравнению с предшественницей.

Поставки новой памяти производителям смартфонов SK hynix рассчитывает начать в этом полугодии.

Отметим, что это первый случай, когда SK hynix применяет оборудование EUV в серийном производстве DRAM. Производитель утверждает, что ему удалось создать «стабильный процесс», поэтому он планирует использовать EUV-литографию всех будущих микросхем, рассчитанных на нормы 1a. Кроме того, с начала будущего года SK hynix рассчитывает перевести на технологию EUV и нормы 1a память DDR5, выпускаемую с октября 2020 года.

Источник

SK hynix может лишиться возможности использовать EUV-оборудование для выпуска памяти в Китае

Производители микросхем оперативной памяти неотвратимо переходят на использование так называемой EUV-литографии, более не считая этот шаг преждевременным или неоправданным экономически. SK hynix тоже не желает отставать от конкурентов, но в случае с модернизацией китайского предприятия компании в дело вмешиваются политические противоречия США и КНР.

Источник изображения: SK hynix

Как известно, американские власти противятся поставкам передового литографического оборудования в Китай. Местный контрактный производитель SMIC из-за этого уже лишился возможности получить EUV-сканеры ASML, выпущенные в Нидерландах. Противоречить воле американских властей этот европейский производитель тоже не готов, хотя со страниц Reuters робко предостерегает, что увлечение политическими санкциями может усугубить полупроводниковый кризис во многих отраслях.

Первоисточник сообщает, что корейской компании SK hynix не удалось согласовать поставку EUV-сканеров на своё предприятие в Китае, где они должны были использоваться для выпуска микросхем оперативной памяти. Власти США выразили обеспокоенность тем фактом, что это оборудование может попасть не в те руки на территории Китая. Предприятие SK hynix в Китае обеспечивает почти половину объёмы выпуска микросхем DRAM данной марки, а в масштабах мирового рынка оно отвечает почти за 15 % поставок.

Отсутствие возможности модернизировать производство в Китае вызовет не только дефицит микросхем памяти на фоне стабильного роста спроса, но и повысит издержки компании SK hynix. Конкурирующие Samsung и Micron тоже переводят производство микросхем оперативной памяти на использование EUV-литографии, но соответствующее оборудование размещают в тех странах, у которых нет явных противоречий с американскими властями.

SK hynix показала стеки памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с

На выставке OCP Summit 2021 южнокорейская компания SK hynix продемонстрировала стеки памяти HBM3. Производитель лишь недавно подтвердил разработку модулей памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с на один стек. Эти микросхемы в обозримом будущем планируется использовать вместе с высокопроизводительными GPU.

Источник изображения: ServeTheHome

Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC ещё не принял окончательные спецификации памяти HBM3. SK hynix самостоятельно увеличила у неё пропускную способность с изначально заявленных 5,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с на контакт. Однако на данный момент неизвестно, насколько приближены характеристики чипов памяти от южнокорейского производителя к окончательным спецификациям стандарта, которые будут использоваться в массовом производстве графических ускорителей нового поколения.

Источник изображения: SK hynix

В составе модулей памяти HBM3 DRAM от SK hynix могут содержаться до 12 кристаллов памяти, уложенных в вертикальный стек с контроллером в самом низу сборки и объединённые 1024-битным интерфейсом. Хотя сам контроллер не изменился ещё со времён стандарта памяти HBM2, увеличенное количество кристаллов памяти в составе одного модуля и повышенная частота работы позволяют добиться скорости передачи данных по интерфейсу в 819 Гбайт/с, что на 78 % больше по сравнению с памятью HBM2E.

Теоретический продукт на основе 12 модулей памяти HBM3 от SK hynix сможет предложить 288 Гбайт общего объёма памяти с максимальной пропускной способностью до 9,8 Тбайт/с.

Корейские чипмейкеры не готовы раскрыть Вашингтону коммерческую тайну

Компании Samsung Electronics и SK Hynix планируют изъять подробную информацию из предоставляемых Вашингтону данных, связанных с глобальным дефицитом полупроводниковых компонентов. Решение опустить подробности связано со стремлением чипмейкеров защитить коммерческую тайну.

Источник изображения: geralt / pixabay.com

Samsung и SK Hynix являются крупнейшими производителями модулей памяти, и они вошли в число компаний, которым американское правительство направило запрос на предоставление информации. Вашингтону это потребовалось для лучшего понимания причин кризиса, который привёл к резкому сокращению производства автомобилей. Крайний срок подачи информации — 8 ноября, и Министерство торговли США заявило, что в зависимости от количества и качества данных оно может настоять на предоставлении ответов.

«Объём запрошенных США данных таков, что если вся необходимая информация будет опубликована, это подорвёт конкуренцию и упростит клиенту выбор того или иного производителя», — заявил на условиях анонимности источник агентства Reuters. Данный инцидент вызвал такую обеспокоенность в Южной Корее, что министр промышленности Мун Сон Ук (Moon Sung-Wook) решил обсудить вопрос с главой американского Минторга Джиной Раймондо (Gina Raimondo) в ходе вашингтонской встречи на следующей неделе.

Запрос включает в себя 26 тем, касающихся данных по запасам, заказам, продажам — от «повседневной» информации до стратегических вопросов, включая планы по расширению мощности, указание трёх основных клиентов по каждому продукту и их доли в продажах. Производители модулей памяти действительно могут потерять прибыль в случае публикации данных по запасам и ценам, поскольку, как уточнил один из источников Reuters, «одно решение используется во множестве устройств». Глобальный дефицит чипов в первую очередь касается компонентов, которые производятся на заказ, в то время как модули памяти выпускаются в массовых объёмах.

В ответ на запрос Вашингтона тайваньская ASE Technology Holding подала документы с множеством пустых столбцов, а израильская Tower Semiconductor не стала указывать своих клиентов, приведя только их сферы деятельности. TSMC просто отказалась передавать конфиденциальную информацию. Всего информацию передали 13 компаний.

В отличие от конкурирующей Samsung Electronics, южнокорейская компания SK hynix не особо афиширует наличие в своей структуре подразделения, специализирующегося на контрактном производстве чипов. Оно довольствуется обработкой кремниевых пластин типоразмера 200 мм и выпускает узкоспециализированную продукцию. Покупка предприятия Key Foundry позволит корейской компании удвоить профильные производственные мощности.

Источник изображения: KED

Нельзя исключать, что за счёт расширения контрактного бизнеса SK hynix постарается как диверсифицировать свою деятельность ещё сильнее, так и укрепить позиции в сегменте автомобильной электроники. Рост спроса на электромобили и системы автопилота привлекает к сегменту многих игроков. Тайваньская Foxconn, например, уже к 2025 году намеревается контролировать от пяти до десяти процентов мирового рынка контрактных услуг по производству электромобилей.

SK hynix в третьем квартале удалось утроить операционную прибыль

Южнокорейская компания SK hynix отчиталась об итогах минувшего квартала, который в её календаре закончился в сентябре. По словам финансового директора компании, перебои с поставками компонентов в отрасли не мешают ей улучшать финансовые результаты. SK hynix третий квартал завершила с максимальным значением операционной прибыли с 2018 года.

Источник изображения: Reuters

С конца прошлого года акции SK hynix снизились в цене на 24 %, поскольку инвесторы в ожидании циклического спада на рынке микросхем памяти начали от них избавляться. Лишь в последние дни наблюдалась небольшая коррекция в сторону повышения. Этому могли отчасти способствовать и вчерашние новости о землетрясении на Тайване, которые создали предпосылки для снижения объёмов выпуска микросхем оперативной памяти компанией Micron, чьё предприятие вынуждено было приостановить работу в результате этого стихийного бедствия.

SK hynix завершила разработку памяти HBM3: модули до 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с

Компания SK hynix объявила о завершении разработки первых в мире модулей скоростной оперативной памяти HBM3 DRAM. Стандарт данной памяти ещё не утверждён, но это не помешало создать продукт, близкий к началу массового производства.

Источник изображения: SK hynix

Модули памяти HBM3 DRAM от SK hynix могут содержать до 12 кристаллов памяти, уложенных в вертикальный стек с контроллером в самом низу сборки. Вероятно, с этим компании помогла сравнительно недавно купленная у Xperi лицензия на технологию чрезвычайно плотного расположения отверстий сквозной металлизации (TSVs). Благодаря этому ёмкость каждого стека HBM3 DRAM SK hynix может достигать 24 Гбайт, хотя компания также будет производить 16-Гбайт модули HBM3. Предыдущие передовые стеки HBM2E компании, напомним, содержали не больше 8 кристаллов памяти. Шаг вперёд более чем заметный.

Производительность новой памяти также существенно увеличилась. Общая скорость передачи данных по интерфейсу достигает 819 Гбайт/с, что на 78 % больше по сравнению с памятью HBM2E. Фактически за каждую секунду по интерфейсу HBM3 прокачиваются 163 фильма в формате FHD (Full HD) по 5 Гбайт каждый. Для игровых видеокарт это было бы пределом мечтаний, но для рабочих ИИ- и ML-нагрузок — это будет обязательное требование.

Источник изображения: SK hynix

Наконец, в новых модулях реализованы механизмы, повышающие надёжность работы памяти. В матрицу встроен код коррекции ошибок, который исправляет битовые ошибки данных. Для высоких скоростей работы и высокой плотности хранения информации — это важнейшее условие работы с заявленными характеристиками. О начале массового производства памяти HBM3 DRAM компания SK hynix пока не сообщила, но это событие не за горами. Индустрия интенсивных вычислений ждёт эту память.

Южная Корея достигла рекордных показателей экспорта электроники, несмотря на дефицит

Южнокорейское Министерство образования, науки и техники отчиталось о рекордных показателях экспорта технологической продукции, несмотря на глобальный дефицит полупроводниковых компонентов. Исторический рекорд был поставлен в августе.

Лидирующим брендом оказалась, конечно, Samsung, которая по итогам второго квартала обогнала Intel и оказалась крупнейшим в мире производителем полупроводниковой продукции. Продажи модулей памяти превзошли ожидания, что в сочетании с ростом цен обеспечило компании дополнительную прибыль.

Внушительные результаты продемонстрировала и SK hynix. Во втором квартале производителю удалось вернуть продажи на допандемийный уровень. Кроме того, компания сейчас занимается поглощением бизнеса Intel по производству NAND и SSD, что выведет её на второе место в мире после Samsung.

Помимо полупроводников, корейские производители отлично выступили в смежных сегментах. Поставки дисплеев выросли на 22,4 % — в основном из-за экспорта OLED-продукции, которая продемонстрировала рост в 47,3 %. Поставки компьютерной периферии увеличились на 29,8 %, а экспорт смартфонов (комплектующих и готовой продукции) вырос на 67,7 %.

SK hynix выпустила энергоэффективный NVMe-накопитель Gold P31 объёмом 2 Тбайт

Компания SK hynix расширила ассортимент своих энергоэффективных твердотельных NVMe-накопителей серии Gold P31 новой моделью объёмом 2 Тбайт. В прошлом году компания выпустила в продажу модели объёмом 1 Тбайт и 500 Гбайт.

Как указывает производитель, данная серия накопителей предназначена для высокоинтенсивных нагрузок в приложениях, связанных с созданием 3D-графики, цифрового контента и игр.

Как и предыдущие модели серии Gold P31, новинка объёмом 2 Тбайт использует интерфейс PCIe 3.0. В составе накопителя используются контроллер памяти Cepheus и чипы LPDDR4 собственной разработки, обеспечивающие скорости последовательного чтения и записи на уровне 3500 и 3200 Мбайт/с соответственно. Заявленный ресурс составляет 1200 TBW (гарантированных терабайт перезаписи).

По данным сторонних обзоров, при уровне записи в 172,2 Мбайт/с на один ватт потребляемой энергии NVMe-накопители SK hynix серии Gold P31 на 434 % энергоэффективнее, чем аналогичные предложения от других производителей.

SK hynix сделает из купленного у Intel SSD-бизнеса отдельную компанию

Южнокорейская компания SK hynix после покупки у Intel бизнеса по производству чипов флеш-памяти планирует превратить его в отдельную американскую компанию. Об этом со ссылкой на вице-президента и главу группы Intel по продуктам и решениям на базе флеш-памяти NAND Роберта Крука (Robert Crooke) сообщил информационный ресурс CRN.

Источник изображения: EE Times Japan

«Перед нами открываются огромные возможности для карьерного роста, поскольку мы создаём многомиллиардную компанию мирового уровня, которая объединит удивительные технологии и людей, ставя перед собой цель стать локомотивом индустрии производства флеш-памяти NAND», — указал Крук в своём сообщении.

Сделка между SK hynix и Intel уже получила одобрение британских, американских, европейских регуляторов и в настоящий момент ждёт одобрения от китайских. Ранее южнокорейская компания сообщила, что покупка у Intel бизнеса по производству флеш-памяти позволит ей усилить своё присутствие на рынке устройств для хранения данных, особенно в корпоративном сегменте.

Британский регулятор окончательно одобрил SK Hynix поглощение бизнеса Intel по производству NAND и SSD

Корейская и американская компании договорились о процедуре частичного поглощения в октябре прошлого года, а в апреле 2021 года Управление решило провести дополнительное расследование возможных последствий этой сделки. CMA поставило задачу выяснить, не приведёт ли поглощение к «существенному снижению конкуренции на любом рынке или рынках товаров или услуг в Соединённом Королевстве». В частности, ведомство беспокоилось о потенциально возможных совпадениях поставок SSD-дисков и прочих продуктов на базе памяти типа NAND.

Однако по результатам расследования стало ясно, что опасения не подтвердились. CMA смогло найти подтверждения того, что в случае завершения процедуры сделки на рынке останутся сильные конкуренты. Более того, в ходе расследования представители этих конкурентов заявили о своих планах расширять свои мощности. Ведомство также опубликовало 31-страничный документ, в котором, среди прочего, директор по слияниям в Управлении Элени Гулиу (Eleni Gouliou) заявила: «CMA не считает, что это. слияние может привести к значительному снижению конкуренции на рынке или рынках Соединённого Королевства».

SK Hynix запустит массовое производство памяти DDR5 в ближайшие месяцы

Компания SK Hynix заявила, что в ближайшие месяцы начнёт массовое производство оперативной памяти стандарта DDR5. Первые продукты на её основе поступят в продажу одновременно с запуском новых процессоров Intel Alder Lake, релиз которых ожидается к концу текущего года. Производитель также добавил, что начнёт производство 176-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND во второй половине этого года.

Источник изображения: SK Hynix

Как и многие другие производители чипов памяти DRAM, SK Hynix продемонстрировала первые микросхемы DDR5 и модули на их основе ещё в 2019 году. К настоящему моменту компания рассылает образцы чипов заинтересованным партнёрам для проверки совместимости с их платформами и будущими CPU. Начало массового производства модулей оперативной памяти DDR5 ожидается во второй половине года. В первой половине 2022-го микросхемы DDR5 начнут использоваться вместе с серверными процессорами Intel Sapphire Rapids.

«Компания начнёт поставки чипов DRAM 10-нм класса (1anm), производимых с помощью EUV-литографии во втором полугодии 2021-го», — говорится в заявлении SK Hynix.

Производитель добавил, что в этом месяце начал массовое производство памяти стандарта LPDDR4-4266 с использованием техпроцесса 10-нм класса и литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). Компания сообщила, что смена поколения техпроцесса и уход от 1znm (тоже 10-нм класс) позволил ей повысить объём выпускаемых кремниевых пластин на 25 %. При этом новые чипы LPDDR4 до 20 % более энергоэффективны по сравнению с микросхемами прошлого поколения.

С начала будущего года SK Hynix планирует перейти на использование техпроцесса 1anm при производстве чипов памяти DDR5, заменив первое поколение продуктов DDR5, поскольку EUV-литография обеспечивает сложным микросхемам DDR5 преимущества как с точки зрения энергопотребления, так и производительности и, что более важно, с точки зрения размера кристаллов.

Помимо чипов памяти DDR5 производитель намерен в ближайшие месяцы выйти на массовое производство 176-слойных чипов флеш-памяти 4D NAND (3D NAND с периферийными цепями под ячейками памяти). Компания уже начала производство и рассылку тестовых образцов 512 Гбит 176-слойных чипов производителям SSD-контроллеров. Первые потребительские продукты на базе такой памяти должны появиться в следующем году.

Огромный спрос на память и высокие цены позволили SK hynix удвоить квартальную прибыль

Источник изображения: AFP/Jiji

Как отмечает Nikkei Asian Review, операционная прибыль SK hynix по сравнению с аналогичным кварталом прошлого года выросла на 38 %, а выручка увеличилась на 20 %. По словам руководства компании, спрос в этом году гораздо сильнее, чем ожидалось. Во втором полугодии тенденция сохранится, поскольку к стабильному спросу на персональные компьютеры добавится спрос на смартфоны с поддержкой сетей 5G. Запасы готовой продукции в таких условиях будут сокращаться ещё сильнее.

Бороться с дефицитом чипов SK hynix собирается за счёт увеличения капитальных затрат на расширение производства. Сделка с Intel по покупке китайского предприятия, выпускающего твердотельную память, пока рассматривается антимонопольными органами КНР, но покупатель надеется, что она будет одобрена до конца текущего года. Сейчас SK hynix занимает четвёртое место в сегменте твердотельной памяти с 12,3 % рынка, но если к этой доле добавится 7,5 % рынка, принадлежащие компании Intel, то корейская компания вполне может подвинуть Kioxia со второго места, соответствующего доле в 18,7 %. Впрочем, Samsung Electronics пока недосягаема для большинства конкурентов, поскольку по итогам первого квартала текущего года занимала 33,5 % рынка твердотельной памяти типа NAND.

Сингапур одобрил сделку по покупке SK hynix производства флеш-памяти у Intel

Антимонопольный орган Сингапура — Комиссия по конкуренции и защите прав потребителей Сингапура (CCCS) — одобрил приобретение бизнеса Intel по выпуску чипов памяти NAND компанией SK hynix. Об этом южнокорейская компания объявила в среду.

В свою очередь, CCCS сообщила в пресс-релизе, что в рамках рассмотрения запроса на одобрение сделки провела общественные консультации с 16 апреля по 30 апреля 2021 года и связалась с 18 ключевыми заинтересованными сторонами, включая конкурентов и клиентов, чтобы узнать их мнение. В итоге комиссия пришла к выводу, что данная сделка не противоречит антимонопольному законодательству и не приведёт к существенному снижению конкуренции с учётом совокупной рыночной доли и ограничений со стороны других компаний. Более того, регулятор не исключил, что сделка может способствовать усилению конкуренции на рынке Сингапура.

SK hynix внедрила EUV-литографию в массовом производстве микросхем оперативной памяти

Производители оперативной памяти постепенно пришли к осознанию того, что переход на использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) способен себя оправдать с коммерческой точки зрения. SK hynix начала массовое производство микросхем LPDDR4 с использованием EUV-литографии и четвёртого поколения 10-нм технологии.

Источник изображения: SK hynix

Строго говоря, производители оперативной памяти предпочитают говорить о техпроцессе 10-нм класса, поэтому точные геометрические параметры порой определить весьма сложно, но в случае с продукцией SK hynix нормам «1a нм» предшествовали 1x, 1y и 1z. Компания утверждает, что частичное внедрение EUV-литографии начала ещё в рамках техпроцесса 1y, но только к 1a она достигла адекватной зрелости для масштабирования в условиях массового производства. По сравнению с техпроцессом 1z, количество получаемых микросхем памяти типа DRAM с одной кремниевой пластины удалось увеличить на 25 % именно за счёт внедрения EUV-литографии.

Выпускаемые сейчас 8-гигабитные микросхемы LPDDR4-4266 обладают сниженным на 20 % уровнем энергопотребления. С начала следующего года техпроцесс 1a будет применяться для производства микросхем памяти типа DDR5, как отмечает SK hynix в тексте пресс-релиза. Микросхемы LPDDR4, изготовленные с применением EUV-литографии, с текущего полугодия начнут получать производители смартфонов.

Взлетевшие цены на память значительно подняли выручку Samsung и SK hynix за второй квартал

Рост средней цены реализации микросхем памяти способствовал увеличению выручки корейских производителей Samsung и SK hynix на двузначное количество процентов, как отмечают в своём исследовании аналитики DigiTimes Research. Это изменение тем заметнее, если учесть, что речь идёт о последовательном приросте по сравнению с первым кварталом текущего года.

Источник изображения: DigiTimes

Как отмечает источник, выручка обеих компаний от реализации твердотельной памяти последовательно выросла во втором квартале более чем на 10 %, хотя до этого два квартала подряд непрерывно снижалась. Комбинированная выручка от реализации микросхем NAND этих двух производителей во втором квартале увеличилась на 15,3 %.

Источник

Сила в теле

что за фирма hynix